【A型題】
1、免疫耐受的誘導
A. 可在胚胎期
B. 可在新生期
C. 可在新生期后甚至成年期
D. 上列A和B兩項
E. 上列A、B和C三項
2、關(guān)于免疫耐受描述錯誤的是
A. 具有免疫特異性,只對特定抗原不應(yīng)答
B. 一般情況下不影響適應(yīng)性免疫應(yīng)答整體功能
C. 不同于免疫缺陷
D. 不同于藥物引起的對免疫系統(tǒng)的普遍抑制
E. 只能在中樞免疫器官內(nèi)發(fā)生
3、對抗原致免疫耐受描述錯誤的是
A. 抗原劑量太高或太低都可導致免疫耐受
B. 單體抗原較其聚體容易導致免疫耐受
C. 特殊的抗原表位及抗原表位的變異均可導致免疫耐受
D. 不易被MΦ處理提呈的抗原易致免疫耐受
E. 靜脈注射單體抗原不易致免疫耐受
4、關(guān)于胚胎期接觸Ag所致的免疫耐受描述有誤的是
A. 是1945年Burnet首先報道
B. 是不成熟的T及B淋巴細胞接觸Ag
C. 只形成對所接觸Ag的免疫耐受
D. 原則上這種免疫耐受長期持續(xù)
E. 是相應(yīng)T及B細胞克隆被消除
5、T細胞后天接觸抗原誘導免疫耐受描述有誤的是
A. 僅能由TD-Ag誘導
B. 較B細胞容易誘導
C. 所需Ag量低
D. 持續(xù)時間長(數(shù)月~數(shù)年)
E. 只能在胸腺內(nèi)形成
6、后天接觸抗原致免疫耐受描述錯誤的是
A. Ag量不適宜
B. Ag表位特殊或變異
C. 缺乏第二信號
D. 缺乏生長因子及分化因子
E. 終生不被打破
7、耐受原表位(tolerogenic epitopes)是指
A. 能誘導免疫耐受的Ag所具有的表位
B. 能誘導Ts細胞活化的Ag表位
C. 能誘導Th細胞活化的Ag表位
D. 能誘導Mf活化的表位
E. 能誘導B細胞活化的表位
8、中樞耐受是指
A. 在中樞神經(jīng)系統(tǒng)遇到Ag所形成的耐受
B. 在胚胎期T與B細胞發(fā)育過程中遇自身Ag所形成的耐受
C. 在出生后T與B細胞發(fā)育過程中遇自身Ag所形成的耐受
D. 上列A與B二項
E. 上列B與C二項
9、外周耐受是指
A. 不成熟的T及B細胞在外周遇到抗原所形成的耐受
B. 成熟的T及B細胞遇內(nèi)源性Ag不產(chǎn)生正免疫應(yīng)答
C. 成熟的T及B細胞遇外源性Ag不產(chǎn)生正免疫應(yīng)答
D. 上列A與B二項
E. 上列B與C二項
10、對胸腺微環(huán)境內(nèi)T細胞中樞耐受形成描述錯誤的是
A. 需發(fā)育至表達功能性抗原識別受體(TCR-CD3)階段
B. TCR需與基質(zhì)細胞表達的自身抗原肽-MHC分子復(fù)合物呈高親和力結(jié)合
C. 通過陰性選擇啟動細胞程序性死亡致克隆消除
D. 可消除所有自身抗原應(yīng)答的T細胞克隆
E. 可顯著減少生后的自身免疫病的發(fā)生
11、對耐受分離描述錯誤的是
A. 口服Ag可致
B. 局部可產(chǎn)生分泌型IgA
C. 形成胃腸道局部粘膜免疫
D. 致全身免疫耐受
E. 其機制與誘導Tr/Ts細胞功能無關(guān)
12、B細胞中樞耐受形成描述錯誤的是
A. 不成熟B細胞遇自身Ag
B. 可在骨髓及末梢中發(fā)生
C. 需與自身Ag高親和力結(jié)合
D. 經(jīng)克隆消除所致
E. 僅在胚胎發(fā)育期發(fā)生
13、外周耐受中自身抗原應(yīng)答的T細胞克隆清除表述正確的是
A. TCR對組織特異自身抗原具有高親和力
B. 經(jīng)APC提呈致此類T細胞克隆清除
C. 這種組織特異自身抗原濃度高
D. 上列A和B兩項
E. 上列A、B和C三項
14、與免疫隔離部位形成有關(guān)的是
A. 生理性屏障
B. 抑制性細胞因子
C. 免疫忽視
D. 上列A與B兩項
E. 上列A、B和C三項
15、口服免疫原最不可能建立的是
A. 局部胃腸粘膜免疫耐受
B. 全身免疫耐受
C. 免疫分離
D. 外周T細胞免疫耐受
E. 外周B細胞免疫耐受
16、小鼠同種異型器官移植前植以同種異型骨髓及胚胎胸腺可致
A. 預(yù)防移植物抗宿主(GVH)反應(yīng)
B. 延長移植物存活時間
C. 誘發(fā)SLE
D. 上列A和B兩項
E. 上列A、B和C三項
17、對抗獨特型T細胞抑制EAE描述正確的是
A. 小鼠EAE是特異性Th1細胞的應(yīng)答所致
B. 特異Th1細胞的獨特型TCR可誘導抗獨特型T細胞產(chǎn)生
C. 抗獨特型T細胞拮抗效應(yīng)Th1功能
D. 上列A、B和C三項
E. 上列B與C兩項
18、可致機體對腫瘤免疫耐受的因素有
A. 腫瘤特異抗原(TSA)及相關(guān)抗原(TAA)密度低
B. 腫瘤細胞MHC分子表達下調(diào)或丟失
C. 患者APC的B7、CD40下調(diào)
D. 上列A和B兩項
E. 上列A、B和C三項
19、打破機體對腫瘤免疫耐受可用的方法是
A. 制備TSA/TAA基因克隆重組蛋白作腫瘤多肽疫苗
B. 對瘤細胞轉(zhuǎn)染MHC基因及B7或CD40基因
C. 可用抗TGF-β抗體治療
D. 上列A和B二項
E. 上列A、B和C三項
20、皮下多次注射小劑量變應(yīng)原可達脫敏目的是因
A. 可誘導IFN-γ及TGF-β產(chǎn)生
B. 抑制IgE型抗體的產(chǎn)生
C. 促進IgG的產(chǎn)生
D. 上列A和B兩項
E. 上列A、B和C三項
21、B細胞免疫耐受描述正確的是
A. 較T細胞難
B. 所需Ag量大
C. 持續(xù)時間短(數(shù)周)
D. 上列A和B兩項
E. 上列A、B和C三項
22、BSA單體致小鼠免疫耐受是因
A. BSA是TI-Ag
B. BSA是TD-Ag
C. BSA單體不易被MΦ吞噬處理提呈
D. 上列A和B兩項
E. 上列B和C兩項
23、后天接觸Ag致免疫耐受表述有誤的是
A. Ag劑量不適宜
B. Ag單體較其聚體容易
C. 口服Ag可致免疫分離
D. 耐受原表位有作用
E. 終生不被打破
24、形成B細胞中樞耐受描述正確的是
A. 不成熟B細胞在骨髓及末梢中與自身Ag 高親和力結(jié)合致克隆消除
B. 輸至外周的自身Ag應(yīng)答B(yǎng)細胞處于克隆無能或克隆不活化狀態(tài)
C. 出生后對自身Ag應(yīng)答的不成熟B細胞施加的克隆消除仍在進行
D. 上列A和B兩項
E. 上列A和C兩項
25、誘導胸腺及骨髓中克隆消除的自身Ag是
A. 體內(nèi)各組織細胞普遍存在的自身Ag
B. 自身免疫調(diào)節(jié)基因調(diào)控在胸腺髓質(zhì)區(qū)上皮細胞表達的組織特異性Ag
C. 僅在胸腺和骨髓基質(zhì)細胞表達的自身Ag
D. 上列A和B二項
E. 上列A、B和C三項
26、可致中樞免疫耐受的組織特異性自身Ag描述正確的是
A. 是部分內(nèi)分泌相關(guān)蛋白
B. 如胰島素及甲狀腺球蛋白
C. 受自身免疫調(diào)節(jié)基因調(diào)控
D. 上列A和B二項
E. 上列A、B和C三項
27、組織特異自身Ag致T細胞克隆免疫忽視是因
A. T細胞克隆TCR對組織特異自身抗原親和力低
B. 這類自身抗原濃度很低
C. 經(jīng)APC提呈不足以活化相應(yīng)的初始T細胞
D. 上述A和C二項
E. 上述A、B和C三項
28、外周耐受機制不包括
A. 克隆清除
B. 免疫忽視
C. 克隆無能及不活化
D. 免疫隔離部位
E. 免疫缺陷
29、與無能T細胞不活化有關(guān)的分子不包括
A. 酪氨酸磷酸酶
B. caspase3
C. BAFF
D. 信號分子降解分子
E. 促使基因沉默的分子
30、外周耐受中自身應(yīng)答細胞克隆無能及不活化可因
A. 有第1信號,無第2信號
B. 無第1信號,有第2信號
C. 無第1信號,無第2信號
D. 有TCR-CD3,但iDC不提呈Ag
E. iDC提呈Ag,但無相應(yīng)TCR-CD3
31、中樞耐受的形成
A. 在胚胎期及出生后
B. 在T與B細胞發(fā)育過程中
C. 與抗原特異應(yīng)答細胞克隆的消除有關(guān)
D. 上列A、B和C三項
E. 上列B、C二項
32、調(diào)節(jié)性T細胞(Tr)描述正確的是
A. 是人體內(nèi)的CD4+CD25+T細胞
B. 是小鼠體內(nèi)的CD4+CD25+T細胞
C. 經(jīng)細胞-細胞直接接觸抑制CD4+ 及CD8+T細胞的免疫應(yīng)答
D. 上列A、B和C三項
E. 上列A和C二項
33、具有免疫抑制功能的T細胞分泌IL-10可介導的作用是
A. 抑制iDC分化為成熟DC
B. 促進iDC誘導免疫耐受
C. 促進中樞耐受
D. 上列A和B二項
E. 上列A、B和C三項
34、具有免疫抑制功能的T細胞分泌TGF-β可介導的作用是
A. 抑制iDC分化為成熟DC
B. 抑制Th1及CTL功能
C. 促進iDC誘導免疫耐受
D. 上列A和B二項
E. 上列A、B和C三項
35、關(guān)于BAFF描述錯誤的是
A. 即TNF家族的B細胞活化因子
B. 生理性濃度使外周淋巴器官中初始B細胞得以存活
C. 分泌過多可致自身反應(yīng)性B細胞增殖超越生理限度
D. 血清水平與SLE等人類自身免疫病嚴重程度相關(guān)
E. 可促進中樞免疫耐受
36、B細胞外周耐受持續(xù)時間較短是因
A. 無能B細胞壽命較短
B. 易由FasL+Th細胞誘導其表達Fas
C. BAFF分泌不足
D. 上列A和B二項
E. 上列A、B和C三項