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某短周期元素R,其原子核外最外電子層的電子數(shù)比次外電子層的電子數(shù)少4個(gè)

來源:焚題庫(kù)   [2020年9月18日] 【

類型:學(xué)習(xí)教育

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    單項(xiàng)選擇題 某短周期元素R,其原子核外最外電子層的電子數(shù)比次外電子層的電子數(shù)少4個(gè),則其最高價(jià)含氧酸的分子式是()。

    A.H2SiO3

    B.H2CO3

    C.H3PO4

    D.HNO3

    正確答案:A

    答案解析:(1)“原子核外最外電子層的電子數(shù)比次外電子層的電子數(shù)少4個(gè)”,此句話是本題的關(guān)鍵。因短周期元素最多只有3個(gè)電子層,而此元素至少應(yīng)有2個(gè)電子層——最外層和次外層,所以可能有以下兩種情況:
    ①此元素原子只有2個(gè)電子層。因此時(shí),次外層即第一層只有2個(gè)電子,所以最外層即第二層不可能比次外層(第一層)少4個(gè)電子。故此答案不合理。
    ②此元素原子有3個(gè)電子層。則第二電子層為次外層,其中應(yīng)有8個(gè)電子,最外電子層即第三電子層的電子數(shù)為8-4=4個(gè)。

    (2)根據(jù)上述原子的電子層結(jié)構(gòu),可知該元素位于元素周期表第三周期、第ⅣA族,元素符號(hào)為Si,元素名稱是硅,最高正化合價(jià)為+4價(jià),負(fù)化合價(jià)為-4價(jià)。
    由此可推知其最高價(jià)含氧酸的分子式是H2SiO3,即為A選項(xiàng)。

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