晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

　　1.離子晶體

　　(1)晶格結(jié)點(diǎn)上的微�！�正、負(fù)離子。

　　(2)微粒間作用力—離子鍵。

　　離子鍵鍵能隨離子電荷的增多和半徑的減少而增強(qiáng)。

　　(3)晶體中不存在獨(dú)立的簡單分子。例如NaCl晶體,表示Na+:Cl-=1:1。

　　(4)晶體的特性—熔點(diǎn)高、硬度大;延展性差;熔融態(tài)或水溶液均易導(dǎo)電。

　　離子半徑的規(guī)律：

　�、僭谕�一周期:自左而右隨著正離子電荷數(shù)的增多，離子半徑逐漸減少,

　　如， Na+﹥Mg2+;K+﹥Ca2+﹥Sc3+

　�、谠谕�一族:自上而下離子半經(jīng)逐漸增大。

　　如，I-﹥Br-﹥Cl-﹥F-

　　③同一元素:隨著正離子電荷數(shù)的增多，離子半經(jīng)減少。

　　如，F(xiàn)e2+﹥Fe3+

　　在相同類型的典型離子晶體中，離子的電荷越多，半徑越小，晶體的熔點(diǎn)越高，硬度越大。如，熔點(diǎn)和硬度：CaO>NaF; MgO>CaO

　　離子極化與變形性

　　離子使異號離子極化而變形的作用稱為該離子的極化作用，被異號離子極化而發(fā)生電子云變形的性質(zhì)，稱離子變形性。

　　影響離子極化因素

　　(1)電子構(gòu)型相同，半徑接近，電荷越高離子極化作用越強(qiáng);

　　(2)電子構(gòu)型相同，電荷相等，半徑越小離子極化作用越強(qiáng);

　　(3)半徑和電荷相同，電子構(gòu)型18+2(18 )> 9—17 > 8

　　2.原子晶體.

　　(1)晶格結(jié)點(diǎn)上的微�！�原子。

　　(2)微粒間作用力—共價鍵。

　　(3)晶體中不存在獨(dú)立的簡單分子。例如方石英(SiO2)晶體,表示Si:O=1:2。

　　(4)晶體的特性—熔點(diǎn)高、硬度大;延展性差;一般溶劑中不溶;是電的絕緣體或半導(dǎo)體。

　　常見的原子晶體:

　　金剛石(C)、單晶硅(Si)、

　　碳化硅(SiC)、方石英(SiO2)

　　3.分子晶體

　　(1)晶格結(jié)點(diǎn)上的微�！獦O性分子或非極性分子。

　　(2)微粒間作用力—分子間力(還有氫鍵)。在同類型的分子中，分子間力隨分子量的增大而增大,熔點(diǎn)和硬度也隨之增大.

　　(3)晶體中存在獨(dú)立的簡單分子。例如CO2晶體,表示一個分子。

　　(4)晶體的特性—熔點(diǎn)抵、硬度小;延展性差;

　　4.金屬晶體

　　(1)晶格結(jié)點(diǎn)上的微粒—原子或正離子。

　　(2)微粒間作用力—金屬鍵。

　　金屬原子價電子數(shù)越多,半徑越小,金屬鍵越強(qiáng).

　　(3)晶體中不存在獨(dú)立的簡單分子。

　　(4)晶體的特性—是電和熱的良導(dǎo)體，熔點(diǎn)較高、硬度較大;優(yōu)良的變形性和金屬光澤。

　　VIB單質(zhì)熔沸點(diǎn)最高。

　　硬度最大的金屬：鉻Cr

　　熔點(diǎn)最高的金屬：鎢 W