背散射電子（BSE）和二次電子（SE）是掃描電子顯微鏡（SEM）中常用的探測(cè)方法。雖然這兩種方法都可以提供有關(guān)材料表面形貌和成分的信息，但它們之間仍然存在一些區(qū)別。

BSE是由電子束與樣品表面相互作用產(chǎn)生的高能電子，這些電子在材料中穿行并與原子發(fā)生相互作用，從而改變其方向和能量。這些電子會(huì)在材料中散射多次，然后返回到探測(cè)器并通過(guò)其檢測(cè)。BSE探測(cè)器通常安裝在掃描電子顯微鏡的側(cè)面，所以BSE圖像顯示的是樣品表面的側(cè)面形貌信息。由于BSE的能量較高，它可以提供有關(guān)材料表面和內(nèi)部結(jié)構(gòu)的信息，因此常用于材料分析和成像。

相比之下，SE是由電子束與樣品表面相互作用產(chǎn)生的低能電子，這些電子在樣品表面散射并離開樣品表面。SE探測(cè)器通常安裝在掃描電子顯微鏡的頂部，所以SE圖像顯示的是樣品表面的直接形貌信息。由于SE的能量較低，它只能提供有關(guān)樣品表面形貌的信息，無(wú)法提供有關(guān)內(nèi)部結(jié)構(gòu)的信息。

因此，BSE和SE在SEM中具有不同的應(yīng)用場(chǎng)景。如果需要了解材料的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和組成，BSE是更好的選擇；如果只需要了解樣品表面的形貌信息，SE是更好的選擇。同時(shí)，BSE和SE也可以結(jié)合使用，以提供更全面和準(zhǔn)確的材料分析和成像結(jié)果。